西安智多晶微电子有限公司

2023-08-25 09:21:27

公司介绍:

  西安智多晶微电子有限公司,成立于2012年,总部位于西安,北京设立有EDA软件研究中心。创始团队拥有三十多年丰富的FPGA设计制造经验,曾就职于海外该领域领先企业,并担任多个专业方向技术带头人。核心团队来自于国内各知名院校和优秀的FPGA研发团队,是国内目前集硬软件设计、生产、销售竞争力的高科技企业。


  公司专注可编程逻辑电路器件技术的研发,并为系统制造商提供高集成度、高性价比的可编程逻辑器件、可编程逻辑器件IP核、相关软件设计工具以及系统解决方案。赋能产业,“芯”系未来,是智多晶的奋斗愿景,团队致力于在LED驱动、视频监控、图像处理、工业控制、4G/5G通信网络、数据中心等各行业应用充分发挥FPGA的方案优势,以市场和客户为导向,帮助合作伙伴提升其核心竞争力。


  公司目前已实现55nm、28nm工艺中密度FPGA的量产,并针对性推出了内嵌Flash、SDRAM、DDR等集成化方案产品。通过严谨科学的设计,360度围绕客户的技术支持及服务,以及贯穿全流程的高标准测试管理,我们正在为更多的行业合作伙伴提供符合需求的高性价比FPGA整体解决方案。


产品描述:

Seagull 1000 系列器件特性

● 富的宏单元阵列

    共有三种阵列规模可选,分别是64128256

● 低功耗

    0.162um的生产工艺(相对于0.18um工艺,芯片面积缩减20%,功耗降低20%,同时速度提升20%

    核电压1.8V     

    提供低待机功耗,无需其他电源管理方案(例如使用传统的检流放大器)

● 内置eFLASH

    CMOS逻辑设计   

    支持快速上电启动

● 高性能增强集成可编程逻辑资源

    36输入逻辑块

    每一宏单元都具备时钟、输出、使能设置/复位智能控制组合及在功能块之间共享

    增强型逻辑共享包括乘积项共享、集群共享、广泛共享

● 丰富的时钟资源

    最大频率Fmax=322MHz   

    四个全局时钟输入接口   

    每一个宏单元设计有4:1的时钟使能多路复用器

● 灵活强大的I/O单元

    输入输出(I/O)快速响应可缩短至3.5ns   

    每个输出可高达80PTs的驱动能力   

    每个输出高达四个总体OE控制方式

    支持热插拔   

    输入输出支持3.3V2.5V1.8V I/O电压   

    如客户有特殊需要,可承受5V输入

    I/O支持标准包括:LVTTL LVCMOS3.3 LVCMOS2.5 LVCMOS1.83.3V PCI Compatible

● 安全

    eFlash支持用户电子签名   

    提供可编程保密位设置

● 置模

    JTAG模式(IEEE-1532)

● 封装

    LQFP/TQFP


Sealion 2000 系列器件特性


● 丰富的逻辑资源

    共有四种规模可选,分别是5K、7K、12K、25K

● 低功耗

    优化的低功耗55nm工艺

    核电压1.2V/3.3V      

    设计上支持通过移位寄存器来实现数字信号(DSP)应用,从而节省很多逻辑单元以及布线资源

   优化了嵌入式存储器模块的电源管理以降低静态功耗

   对大量丰富的并行处理资源的应用进行了重点优化

● 高性能可编程逻辑单元

    采用LUT4查找表

    可高达98%的资源利用率

    对逻辑单元操作模式的性能进行了优化,例如可创建算术模式,用于实现加法器、计数器、累加器和比较器

● 内置硬核DSP

    内置多个18×18/9×9可串行乘法器以及算数逻辑单元(ALU),可做两层叠加实现DSP处理密集型应用

● 内置 Flash (SL2E-5ESL2E-7V

    无须外部配置电路

    支持快速上电启动

● 支持分布式和嵌入式存储

    嵌入块存储容量为9Kbits,可配置成单端口、伪双端口、真双端口以及F|FO缓冲器或者ROM,通过配置可实现多种数据宽度

    最大支持865Kbits分布式存储器

● 丰富的时钟资源

    最大频率Fmax=200MHz

    最多可提供16个全局时钟,其中8个可以复用为高扇出网路

    提供多达12个专用时钟输入引脚

    内置锁相环(PLL)和延时锁相环(DLL),提供倍频、分频、相位转移等系统时钟功能

● 灵活强大的I/O单元

    最高可达到336个有效用户I/O

    具备7:1 LVDS接口电路,最高发送速率可达840Mbps,接收速率可达875Mbps

    支持400Mbps DDR2 SDRAM接口

    输入输出支持3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V电压

    支持MIPI,接口速率高达1.2Gbps

   I/O支持标准包括 LVTTLLVCMOSSSTLHSTLPCI(单端)LVDSSSTLHSTLLVPECLBLVDSmini-LVDSRSDS(差分)

    可配置上拉下拉模式

    支持热插拔

● 置模

    主模式AS

    从模式PS

    JTAG

    配置过程支持 SED/SEC单侈比特流检测及校验

    配置过程支持多比特流加载,可在第一个程序文件加载失败后,自动跳到 Golden区域加载第二个程序文件

● 安全

    支持256比特AES比特流加密及压缩 ( SL2E-5ESL2E-7V )

   BSCAN

    兼容IEEE-1149.1

● 封装

    WLCSP/BGA/QFP/QFN


Seal 5000 系列器件特性


● 超大的逻辑资源

    30K  325K 逻辑单元的器件    

    多达 500 个用户 I / O

● 高性能可编程逻辑单元

    采用 6 输入查找表( 6-LUTs   

   双 5-LUTs 选项   

   最多 128 位分布式存储器   

   最多 64 位分布式移位寄存器

● 低功耗器件

    先进 28nm  CMOS 工艺    

    核电压 1.0V (可选 0.9V    

    待机模式和其他省电选项

● 嵌入式和分布式存储

    Fmax = 500 MHz

    嵌入块存储容量为 18K/36Kb, 总容量高达 18.9 Mb

    高达 6,520 Kb 的分布式存储

● 高性能,灵活的 I / O 单元

     LVDS 接口高达 1.6 Gbps

   施密特触发器输入,最高 0.5V 迟滞

     I/O 支持热插拔

   片内可调差分阻抗 (OCT) 与终端电阻( ODT )

   可编程上拉或下拉模式

● 源同步 I / O 接口

    支持 7:1 Video 接口 , 可高达 1.2 Gbps

    通用 DDRX1/X2/X4/X8 最高 1.2 Gbps

    单端 / 差分 DQS 支持  DDR1/2/3 LPDDR1/2/3 内存

● 增强的乘法器块

     Fmax = 500 MHz

    内置多个 9x9/18x18/25x18 具备预加法的串行乘法器 , 算数逻辑单元 (ALU) ,两层叠加实现 DSP 处理密集型应用

● 灵活的片内时钟

    24 个全局时钟与 2 个边沿时钟与 2 个和延时锁相环( DLL )于 I/O 模块 (Bank),用于高速 I/O 接口

    高达 13 个内置通用 PLL, 提供倍频、分频、相位转移、展频等系统时钟

    精度为 12 %的片上振荡器

● 配置模式

     JTAG, 从模式 (PS), 主模式 (AS)

    配置过程支持 SED/SEC  / 多比特流检测及单比特纠正

    配置过程支持多个比特流加载,可在第一个程序文件加载失败后,自动跳到 Golden 区域加载第二个程序文件

    局部重配置(Partial Re-configuration)

● 安全

    支持 AES 比特流加密及压缩 , 256 比特加密钥匙

    兼容 IEEE1149.1: 如边界扫描 (BSCAN)

    符合 IEEE 1532 的系统内编程

● 集成的端点模块支持 PCI Express 设计

    高达 6.6/13.1 Gbps 高速 SerDes I / O

    符合 PCI Express Gen1.1 / Gen2,

    每块 x1 x2  x4 通道支持

● 嵌入式硬核

     ARM  ADC  DDR2/3 控制器

● 广泛的封装选项

    低成本焊线封装芯片 , 无盖倒装芯片,高完整性信号的倒装芯片等封装

    先进的无铅封装


应用领域:

消费电子、网络通信、人工智能、汽车电子、工业控制、医疗电子、其他应用

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